【48812】全球IGBT半导体工业商场规模及销量计算

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流比较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。很合适使用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。IGBT按缓冲区的有无来分类，缓冲区是介于P+发射区和N-飘移区之间的N+层。无缓冲区者称为对称型IGBT，有缓冲区者称为非对称型IGBT。因为结构不同，因而特性也不同。非对称型IGBT因为存在N+区，反向阻断才能弱，但其正向压下降、关断时间短、关断时尾部电流小；与此相反，对称型IGBT具有正反向阻断才能，其他特性却不及非对称型IGBT。现在商品化的IGBT单管或模块大部分对错对称型IGBT。构成本乡 IGBT 商场需求主体主要为智能电网、高铁建造、电机节能与家电节能这四大范畴。我国在智能电网与高铁建造范畴具有世界抢先技能，这些范畴对 IGBT国产化需求火急，而这种国产化打破更包含了 IGBT 技能的打破（该范畴 IGBT 技能壁垒最高）。家电节能以空调、冰箱与洗衣机为主，这些范畴我国家电企业现已具有必定的世界竞争力，更为 IGBT 国产化扫清了认知障碍。因而，巨大的商场根底与需求方对 IGBT 技能国产化的火急需求一起推进我国本乡企业的技能创新，加快我国 IGBT 国产化进程：据美国半导体行业协会计算数据：2015年12月，全球半导体工业出售额为276.2亿美元，较上年同期的291.3亿美元下降4.4%； 2015年1-12月全球半导体工业出售额到达3335.2亿美元，同比下降0.2%。

  博思数据发布的《2017-2022年我国IGBT功率模块商场深度调研与出资远景研究报告》，2015年12月美洲半导体工业出售额度为5.75亿美元，同比下降14.5%，环比下降5.2%；欧洲商场出售额为2.77亿美元，同比下降7.9%，环比下降5.7%；日本商场出售额为2.57亿美元，同比下滑8.1%；环比下降为4.4%。IGBT 的工业使用包含交通操控、功率变换器、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动操控的变频器。在消费方面，IGBT 用于家用电器、相机和手机等。据Infineon 计算：2010年全球IGBT商场规模为30.06亿美元，2011年全球IGBT商场规模激增至40.34亿美元，增速达34%。傍边Infineon公司IGBT出售业务从2010年的6.1亿美元上升至2011年的7.8亿美元。2012-2013年全球IGBT商场规模下滑较为明显，2014年全球IGBT商场规模回升至38.45亿美元，2015年全球IGBT商场规模回落至36.21亿美元。

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